KMB6D0DN30QA Scheda tecnica(PDF)

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KMB6D0DN30QA Dettagli del prodotto

GENERAL DESCRIPTION
This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for portable equipment and DC-DC Converter Applications.

FEATURES
• VDSS=30V, ID=6A.
• Drain-Source ON Resistance.
RDS(ON)=28m Ω (Max.) @VGS=10V
RDS(ON)=42m Ω (Max.) @VGS=4.5V
• Super High Dense Cell Design
• High Power and Current Handing Capability

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