MBR1090-M3 Scheda tecnica(PDF) - Vishay Siliconix

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MBR1090-M3 Scheda tecnica (PDF) - Vishay Siliconix

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MBR1090-M3 Dettagli del prodotto

FEATURES
• Trench MOS Schottky technology
• Lower power losses, high efficiency
• Low forward voltage drop
• High forward surge capability
• High frequency operation
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

Codice articolo simile - MBR1090-M3

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Vishay Siliconix	MBR1090-M3	110Kb / 4P	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 01-Jan-2022
	MBR1090-M3	108Kb / 4P	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Revision: 22-Dec-14
	MBR1090-M3	110Kb / 4P	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 01-Jan-2022

Descrizione simile - MBR1090-M3

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Vishay Siliconix	M2035S	123Kb / 4P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 24-Jul-06
	V20150S	152Kb / 6P	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Revision: 13-Aug-13
	V30100S-E3	156Kb / 6P	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Revision: 14-Dec-16
	V10150S	168Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Revision: 24-Jun-09
	V20100S	163Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Revision: 24-Jun-09
	V20150SG	163Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Revision: 24-Jun-09
	V30100S	149Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Revision: 23-Oct-09
	V30120S	130Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Revision: 23-Mar-11
	V20120SG	160Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Revision: 24-Jun-09
	V20150S	131Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Revision: 23-Mar-11
	VF10150S	79Kb / 4P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Revision: 10-Nov-10

A proposito di Vishay Siliconix

Vishay Siliconix è una consociata di Vishay Intertechnology, un produttore globale di componenti elettronici passivi.
Vishay Siliconix è specializzata nella progettazione, produzione e commercializzazione di MOSFET di potenza, IGBT e altri semiconduttori di potenza.
La compagnia è stata fondata nel 1962 ed ha sede a Santa Clara, in California.
Vishay Siliconix offre soluzioni di alimentazione per una varietà di applicazioni, tra cui sistemi di energia rinnovabile, apparecchiature industriali, calcolo e telecomunicazioni e elettronica automobilistica.
I prodotti dell'azienda sono progettati per alta efficienza, bassa consumo di energia e elevata affidabilità e sono fabbricati in strutture all'avanguardia utilizzando processi di fabbricazione avanzati.
Con particolare attenzione all'innovazione e alla soddisfazione del cliente, Vishay Siliconix si impegna a fornire ai propri clienti le migliori soluzioni di gestione dell'alimentazione per soddisfare le loro esigenze.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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