2SD1695 Scheda tecnica(PDF) - NEC

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2SD1695 Scheda tecnica (PDF) - NEC

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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

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Spiegazioni elettronici	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

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2SD1695 Dettagli del prodotto

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION)
FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

The 2SD1695 is a Darlington connection transistor and incorporates a dumper diode between the collector and emitter and a constant voltage diode and protection elements between the collector and base. This transistor is ideal for drives in solenoid and actuators.

FEATURES
• On-chip protection elements enable time and cost reduction.
C to E: Dumper diode
C to B: Constant diode
• Low collector saturation voltage

Codice articolo simile - 2SD1695

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Renesas Technology Corp	2SD1695	257Kb / 6P	SILICON POWER TRANSISTOR 2002

Descrizione simile - 2SD1695

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
NEC	2SB601	110Kb / 6P	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
	2SD2217	100Kb / 4P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
	2SB1431	132Kb / 6P	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
	2SB1430	115Kb / 6P	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
	2SB1432	106Kb / 6P	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
	2SD560	90Kb / 6P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
	2SD2165	118Kb / 5P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
	2SD1843	76Kb / 4P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
Renesas Technology Corp	2SB1432	229Kb / 8P	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
Renesas Technology Corp	2SB1431	257Kb / 8P	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

A proposito di NEC

NEC Corporation è una società di tecnologia informatica multinazionale giapponese ed elettronica. La compagnia è stata fondata nel 1899 ed ha sede a Tokyo, in Giappone. NEC fornisce una vasta gamma di prodotti e servizi tra cui tecnologia dell'informazione, telecomunicazioni ed elettronica. Il suo portafoglio include hardware, software e servizi per computer, soluzioni di rete, soluzioni di visualizzazione e server aziendali e soluzioni di archiviazione.

NEC è noto per la sua esperienza nel campo della tecnologia dell'informazione e la sua capacità di fornire prodotti e servizi innovativi e di alta qualità. La società ha operazioni e strutture in vari paesi in tutto il mondo e ha una forte presenza nella regione Asia-Pacifico. NEC lavora a stretto contatto con i propri clienti per fornire soluzioni personalizzate che soddisfino i loro requisiti e esigenze specifiche.

Oltre al suo core business, NEC è anche attivo nei settori della ricerca e dello sviluppo ed è coinvolto in vari progetti relativi a tecnologie avanzate come l'intelligenza artificiale, le reti 5G e l'Internet of Things (IoT). NEC è impegnato a fornire soluzioni sostenibili che supportano lo sviluppo della società e migliorano la qualità della vita per le persone di tutto il mondo.

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