3N161 Scheda tecnica(PDF)

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3N161 Scheda tecnica (PDF) - Intersil Corporation

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DIODE PROTECTED P-CHANNEL ENGANCEMENT MODE MOSFET GENERAL PUROPSE AMPLIFIER/SWITCH

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3N161 Dettagli del prodotto

Diode Protected P-Channel Engancement Mode MOSFET General Puropse Amplifier/Switch

Codice articolo simile - 3N161

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Intersil Corporation	3N161	4Mb / 122P	P-CHANNEL JFET
Calogic, LLC	3N161	29Kb / 1P	Diode Protected P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Calogic, LLC	2N4352	18Kb / 1P	P-Channel Enhancement Mode MOSFET Amplifier/Switch
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	3N163	28Kb / 2P	P-Channel Enhancement Mode MOSFET General Purpose Amplifier Switch
IXYS Corporation	IXTH96N20P	605Kb / 5P	N-Channel Engancement Mode
Calogic, LLC	3N161	29Kb / 1P	Diode Protected P-Channel Enhancement Mode MOSFET
	3N172	41Kb / 2P	Diode Protected P-Channel
	2N4352	124Kb / 1P	P-Channel Enhancement Mode MOSFET Amplifier/Switch

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A proposito di Intersil Corporation

Intersil Corporation era una società di semiconduttori americani specializzata nella progettazione e nella produzione di circuiti integrati analogici e di segnale misto ad alte prestazioni.
La società è stata fondata nel 1967 ed era nota per la sua esperienza nelle tecnologie di gestione dell'alimentazione, conversione dei dati e radiofrequenza (RF).
I prodotti di Intersil sono stati utilizzati in una vasta gamma di applicazioni come elettronica di consumo, industriali, telecomunicazioni e aerospaziale e difesa.
Nel 2016, Intersil è stato acquisito da Renesas Electronics Corporation, una società di semiconduttori giapponesi.
Il marchio e la tecnologia intersil continuano a essere sviluppati e venduti come parte del portafoglio di prodotti di Renesas.

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