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IRS2103PBF Scheda tecnica (PDF) - Infineon Technologies AG

IRS2103PBF Datasheet PDF - Infineon Technologies AG
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IRS2103PBF Scheda tecnica (HTML) - Infineon Technologies AG


IRS2103PBF Dettagli del prodotto

Description
The IRS2103 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high- and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3 V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver crossconduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600 V.

Features
• Floating channel designed for bootstrap operation
• Fully operational to +600 V
• Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune
• Gate drive supply range from 10 V to 20 V
• Undervoltage lockout
• 3.3 V, 5 V, and 15 V logic compatible
• Cross-conduction prevention logic
• Matched propagation delay for both channels
• Internal set deadtime
• High-side output in phase with HIN input
• Low-side output out of phase with LIN input
• RoHS compliant




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A proposito di Infineon Technologies AG


Infineon Technologies è uno dei principali produttori di semiconduttori globali specializzati nella fornitura di soluzioni di gestione dell'alimentazione, sicurezza e controllo per una varietà di settori come i sistemi automobilistici, industriali e di comunicazione.
La compagnia è stata fondata nel 1999 ed è con sede a Neubiberg, in Germania.
Infineon offre una vasta gamma di prodotti tra cui microcontrollori, semiconduttori di potenza, sensori e altri circuiti integrati.
La società ha una forte presenza nel mercato globale, con operazioni e strutture in vari paesi del mondo.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.




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