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MJE18002D2 Scheda tecnica (PDF) - ON Semiconductor

MJE18002D2 Datasheet PDF - ON Semiconductor
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MJE18002D2 Scheda tecnica (HTML) - ON Semiconductor


MJE18002D2 Dettagli del prodotto

High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor with Integrated Collector-Emitter Diode and Built-in Efficient Antisaturation Network

The MJE18002D2 use a newly developed technology, so called H2BIP*, to design the state of art transistor dedicated to the Electronic Light Ballast and PFC** circuit.
The main advantages brought by these new transistors are:

• Improved Global Efficiency Due to the Low Base Drive Requirements
• DC Current Gain Typically Centered at 45
• Extremely Low Storage Time Variation, Thanks to the Antisaturation Network
• Easy to Use Thanks to the Integrated Collector/Emitter Diode
   The ON Semiconductor Six Sigma philosophy provides tight and reproductible parameter distribution.
   * High speed High gain Bipolar transistor
   ** Power Factor Control




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A proposito di ON Semiconductor


ON Semiconductor è un'azienda quotata in borsa che progetta, sviluppa e produce una vasta gamma di prodotti a semiconduttore per una varietà di applicazioni tra cui automobili, calcoli, beni di consumo, industriali e mercati di comunicazione.
La società è stata fondata nel 1999 ed è con sede a Phoenix, in Arizona.
Sul semiconduttore offre un ampio portafoglio di management di potenza, semiconduttori analogici e discreti tra cui MOSFET di potenza, diodi, raddrizzatori, regolatori di tensione, tra gli altri.
I prodotti dell'azienda sono progettati per essere efficienti dal punto di vista energetico, affidabili ed economici e sono utilizzati in una varietà di applicazioni tra cui elettronica portatile, sistemi di automazione industriale, sistemi di energia rinnovabile ed elettronica automobilistica.
Sul semiconduttore si impegna nell'innovazione e nella soddisfazione dei clienti e si impegna a fornire le migliori soluzioni per i semiconduttori per soddisfare le esigenze dei nostri clienti.

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