V30DM120C Scheda tecnica(PDF) - Vishay Siliconix

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V30DM120C Scheda tecnica (PDF) - Vishay Siliconix

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Il numero della parte	V30DM120C

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Produttore elettronici	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Spiegazioni elettronici

Dual TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.51 V at IF = 5 A

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V30DM120C Dettagli del prodotto

• Trench MOS Schottky technology
• Very low profile - typical height of 1.7 mm
• Ideal for automated placement
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• AEC-Q101 qualified available:
- Automotive ordering code: base P/NHM3
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak
of 260 °C

Codice articolo simile - V30DM120C

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Vishay Siliconix	V30DM120C	127Kb / 5P	Dual TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.51 V at IF = 5 A 27-Mar-2020
	V30DM120C-M3	102Kb / 6P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 06-Feb-15
	V30DM120C-M3	95Kb / 5P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 08-Apr-15
	V30DM120CHM3	102Kb / 6P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 06-Feb-15
	V30DM120CHM3	95Kb / 5P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 08-Apr-15

Descrizione simile - V30DM120C

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Vishay Siliconix	VBT1080S-M3	90Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A 14-May-13
	VBT2080S-M3	95Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A 14-May-13
	VBT3080S-M3	88Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A 14-May-13
	VFT3080S-M3	89Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A 11-Sep-13
	VT760-E3	141Kb / 6P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 15-Dec-16
	VT2080C-E3	158Kb / 6P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A 14-Dec-16
	VBT2080C-M3	90Kb / 4P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A 14-May-13
	VBT3080C-M3	89Kb / 4P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A 14-May-13
	V80H150PW-M3	94Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.51 V at IF = 10 A 04-Dec-13
	V80170PW-M3	94Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.51 V at IF = 10 A 04-Dec-13

A proposito di Vishay Siliconix

Vishay Siliconix è una consociata di Vishay Intertechnology, un produttore globale di componenti elettronici passivi.
Vishay Siliconix è specializzata nella progettazione, produzione e commercializzazione di MOSFET di potenza, IGBT e altri semiconduttori di potenza.
La compagnia è stata fondata nel 1962 ed ha sede a Santa Clara, in California.
Vishay Siliconix offre soluzioni di alimentazione per una varietà di applicazioni, tra cui sistemi di energia rinnovabile, apparecchiature industriali, calcolo e telecomunicazioni e elettronica automobilistica.
I prodotti dell'azienda sono progettati per alta efficienza, bassa consumo di energia e elevata affidabilità e sono fabbricati in strutture all'avanguardia utilizzando processi di fabbricazione avanzati.
Con particolare attenzione all'innovazione e alla soddisfazione del cliente, Vishay Siliconix si impegna a fornire ai propri clienti le migliori soluzioni di gestione dell'alimentazione per soddisfare le loro esigenze.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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