IXFN100N25 Scheda tecnica(PDF) - IXYS Corporation

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IXFN100N25 Scheda tecnica (PDF) - IXYS Corporation

IXFN100N25 Datasheet PDF - IXYS Corporation


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Spiegazioni elettronici	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low

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IXFN100N25 Dettagli del prodotto

HiPerFET Power MOSFETs
Single MOSFET Die

N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr

Features
• International standard package
• miniBLOC, with Aluminium nitride isolation
• Low RDS (on) HDMOSTM process
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
• Low package inductance
• Fast intrinsic Rectifier

Applications
• DC-DC converters
• Battery chargers
• Switched-mode and resonant-mode power supplies
• DC choppers
• Temperature and lighting controls

Advantages
• Easy to mount
• Space savings
• High power density

Codice articolo simile - IXFN100N25

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
IXYS Corporation	IXFN100N20	112Kb / 4P	HiPerFET Power MOSFETs
Inchange Semiconductor ...	IXFN100N20	536Kb / 3P	N-Channel MOSFET

Descrizione simile - IXFN100N25

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Siemens Semiconductor G...	BUZ100S	126Kb / 8P	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated)
	BUZ102S	123Kb / 8P	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated)
	BUZ110S	122Kb / 8P	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated)
	BUZ111S	121Kb / 8P	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated)
IXYS Corporation	IXFK38N80Q2	605Kb / 5P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q Low intrinsic R
Infineon Technologies A...	SPP08P06P	843Kb / 10P	P-Channel Enhancement mode Avalanche rated dv/dt rated Rev 1.5 2009-04-14
IXYS Corporation	IXTH28N50Q	177Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
	IXTQ24N55Q	517Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
	IXFH36N55Q	171Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
	IXFH80N08	93Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt

A proposito di IXYS Corporation

Ixys Corporation è una società tecnologica specializzata nella progettazione, produzione e vendita di semiconduttori di energia e circuiti integrati (ICS). La società è stata fondata nel 1983 ed è sede a Milpitas, in California. Ixys ha una presenza globale, con operazioni e clienti in oltre 60 paesi in tutto il mondo.

IXYS fornisce una vasta gamma di prodotti e soluzioni, tra cui MOSFET di potenza, transistor bipolari di potenza, tiristi, diodi e ICS per le applicazioni di gestione e controllo dell'alimentazione. I prodotti dell'azienda vengono utilizzati in una varietà di applicazioni, tra cui energia rinnovabile, industriale, automobilistico e elettronica di consumo.

Ixys è noto per la sua esperienza nella tecnologia dei semiconduttori di potenza e la sua capacità di fornire soluzioni ad alte prestazioni ed economiche ai propri clienti. La società è impegnata nell'innovazione, nella ricerca e nello sviluppo ed è attivamente coinvolta nello sviluppo di nuove tecnologie e soluzioni per il mercato dei semiconduttori di potenza. Ixys è un leader riconosciuto nel mercato dei semiconduttori di potenza e continua a fornire prodotti e servizi di alta qualità ai propri clienti.

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