VS12CTQ045-M3 Scheda tecnica(PDF) - Vishay Siliconix

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VS12CTQ045-M3 Scheda tecnica (PDF) - Vishay Siliconix

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VS12CTQ045-M3 Dettagli del prodotto

FEATURES
• 175 °C TJ operation
• Center tap TO-220 package
• Low forward voltage drop
• High frequency operation
• High purity, high temperature epoxy
encapsulation for enhanced mechanical
strength and moisture resistance
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term
reliability
• Designed and qualified according to JEDEC®-JESD 47
• Material categorization: for definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912

DESCRIPTION
The VS-12CTQ... center tap Schottky rectifier series has
been optimized for low reverse leakage at high temperature.
The proprietary barrier technology allows for reliable
operation up to 175 °C junction temperature. Typical
applications are in switching power supplies, converters,
freewheeling diodes, and reverse battery protection.

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A proposito di Vishay Siliconix

Vishay Siliconix è una consociata di Vishay Intertechnology, un produttore globale di componenti elettronici passivi.
Vishay Siliconix è specializzata nella progettazione, produzione e commercializzazione di MOSFET di potenza, IGBT e altri semiconduttori di potenza.
La compagnia è stata fondata nel 1962 ed ha sede a Santa Clara, in California.
Vishay Siliconix offre soluzioni di alimentazione per una varietà di applicazioni, tra cui sistemi di energia rinnovabile, apparecchiature industriali, calcolo e telecomunicazioni e elettronica automobilistica.
I prodotti dell'azienda sono progettati per alta efficienza, bassa consumo di energia e elevata affidabilità e sono fabbricati in strutture all'avanguardia utilizzando processi di fabbricazione avanzati.
Con particolare attenzione all'innovazione e alla soddisfazione del cliente, Vishay Siliconix si impegna a fornire ai propri clienti le migliori soluzioni di gestione dell'alimentazione per soddisfare le loro esigenze.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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