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SSM6N813RLF Scheda tecnica (PDF) - Toshiba Semiconductor
SSM6N813RLF Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor
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SSM6N813RLF Datasheet (PDF)

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SSM6N813RLF Scheda tecnica (HTML) - Toshiba Semiconductor


SSM6N813RLF Dettagli del prodotto

1. Applications
• Power Management Switches

2. Features
(1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list)
(2) 175 ℃ MOSFET
(3) 4.5 V drive
(4) Low drain-source on-resistance
: RDS(ON) = 110 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V)
RDS(ON) = 88 mΩ (typ.) (@VGS = 10 V)




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