DSEA16-06AC Scheda tecnica(PDF) - IXYS Corporation

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DSEA16-06AC Scheda tecnica (PDF) - IXYS Corporation

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HiPerDynFREDTM Epitaxial Diode ISOPLUS220TM

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DSEA16-06AC Dettagli del prodotto

HiPerDynFRED™ Epitaxial Diode ISOPLUS220™ Electrically Isolated Back Surface

Features
• Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate
    - High power dissipation
    - Isolated mounting surface
    - 2500V electrical isolation
• Low cathode to tab capacitance (<15pF)
• Planar passivated chips
• Very short recovery time
• Extremely low switching losses
• Low IRM-values
• Soft recovery behaviour
• Epoxy meets UL 94V-0

Applications
• Antiparallel diode for high frequency switching devices
• Antisaturation diode
• Snubber diode
• Free wheeling diode in converters and motor control circuits
• Rectifiers in switch mode power supplies (SMPS)
• Inductive heating
• Uninterruptible power supplies (UPS)
• Ultrasonic cleaners and welders

Advantages
• Avalanche voltage rated for reliable operation
• Soft reverse recovery for low EMI/RFI
• Low IRM reduces:
- Power dissipation within the diode
- Turn-on loss in the commutating switch

Codice articolo simile - DSEA16-06AC

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
IXYS Corporation	DSEA16-06BC	539Kb / 3P	HiPerDynFRED Epitaxial Diode ISOPLUS220
Thinki Semiconductor Co...	DSEA16-06BC	270Kb / 2P	16.0 Ampere Insulated Dual Common Anode Ultra Fast Recovery Rectifiers

Descrizione simile - DSEA16-06AC

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
IXYS Corporation	DSEP30-06CR	21Kb / 1P	HiPerDynFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery (Electrically Isolated Back Surface)
	DSEP15-12CR	21Kb / 1P	HiPerDynFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery
	IXFC60N20	77Kb / 2P	HiPerFET MOSFET ISOPLUS220TM
	DSEA59-06BC	526Kb / 2P	HiPerFREDTM Epitaxial Diode ISOPLUS220TM
	DSEE30-12A	102Kb / 2P	HiPerFRED Epitaxial Diode
	DSEE15-12CC	516Kb / 2P	HiPerDynFREDTM Epitaxial Diode ISOPLUS220 (15A, 1200V, 35ns)
	DSEE6-06CC	509Kb / 2P	HiPerDynFREDTM Epitaxial Diode ISOPLUS220 Electrically Isolated Back Surface
KEC(Korea Electronics)	Z02W100V	438Kb / 2P	ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
Semikron International	SKMD202E	574Kb / 3P	Ultrafast Epitaxial Diode
Shenzhen Taychipst Elec...	1N5221B	4Mb / 2P	EPITAXIAL ZENER DIODE

A proposito di IXYS Corporation

Ixys Corporation è una società tecnologica specializzata nella progettazione, produzione e vendita di semiconduttori di energia e circuiti integrati (ICS). La società è stata fondata nel 1983 ed è sede a Milpitas, in California. Ixys ha una presenza globale, con operazioni e clienti in oltre 60 paesi in tutto il mondo.

IXYS fornisce una vasta gamma di prodotti e soluzioni, tra cui MOSFET di potenza, transistor bipolari di potenza, tiristi, diodi e ICS per le applicazioni di gestione e controllo dell'alimentazione. I prodotti dell'azienda vengono utilizzati in una varietà di applicazioni, tra cui energia rinnovabile, industriale, automobilistico e elettronica di consumo.

Ixys è noto per la sua esperienza nella tecnologia dei semiconduttori di potenza e la sua capacità di fornire soluzioni ad alte prestazioni ed economiche ai propri clienti. La società è impegnata nell'innovazione, nella ricerca e nello sviluppo ed è attivamente coinvolta nello sviluppo di nuove tecnologie e soluzioni per il mercato dei semiconduttori di potenza. Ixys è un leader riconosciuto nel mercato dei semiconduttori di potenza e continua a fornire prodotti e servizi di alta qualità ai propri clienti.

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