TCET4600 Scheda tecnica(PDF) - Vishay Siliconix

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TCET4600 Scheda tecnica (PDF) - Vishay Siliconix

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TCET4600 Dettagli del prodotto

DESCRIPTION
The TCET4600 consists of a phototransistor optically
coupled to 2 gallium arsenide infrared-emitting diodes in
16 pin lead plastic dual inline package.

FEATURES
• Extra low coupling capacity - typical 0.2 pF
• High common mode rejection
• Low temperature coefficient of CTR
• Rated impulse voltage (transient overvoltage)
VIOTM = 10 kV peak
• Isolation test voltage (partial discharge test
voltage) Vpd = 1.6 kV peak
• Rated isolation voltage (RMS includes DC)
VIOWM = 600 VRMS
• Rated recurring peak voltage (repetitive) VIORM = 890 Vpeak
• Thickness though insulation ≥ 0.4 mm
• Creepage current resistance according to VDE 0303 /
IEC 60112 comparative tracking index: CTI ≥ 175
• Material categorization: for definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912

AGENCY APPROVALS
• UL / cUL 1577
• DIN EN 60747-5-5 (VDE 0884)
• FIMKO

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A proposito di Vishay Siliconix

Vishay Siliconix è una consociata di Vishay Intertechnology, un produttore globale di componenti elettronici passivi.
Vishay Siliconix è specializzata nella progettazione, produzione e commercializzazione di MOSFET di potenza, IGBT e altri semiconduttori di potenza.
La compagnia è stata fondata nel 1962 ed ha sede a Santa Clara, in California.
Vishay Siliconix offre soluzioni di alimentazione per una varietà di applicazioni, tra cui sistemi di energia rinnovabile, apparecchiature industriali, calcolo e telecomunicazioni e elettronica automobilistica.
I prodotti dell'azienda sono progettati per alta efficienza, bassa consumo di energia e elevata affidabilità e sono fabbricati in strutture all'avanguardia utilizzando processi di fabbricazione avanzati.
Con particolare attenzione all'innovazione e alla soddisfazione del cliente, Vishay Siliconix si impegna a fornire ai propri clienti le migliori soluzioni di gestione dell'alimentazione per soddisfare le loro esigenze.

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