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STB33N60DM6 Scheda tecnica (PDF) - STMicroelectronics
STB33N60DM6 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Spiegazioni elettronici N-channel 600 V, 115 mΩ typ., 25 A, MDmesh DM6 Power MOSFET in a D2PAK package

STB33N60DM6 Datasheet (PDF)

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STB33N60DM6 Scheda tecnica (HTML) - STMicroelectronics


STB33N60DM6 Dettagli del prodotto

Features
• Fast-recovery body diode
• Lower RDS(on) per area vs previous generation
• Low gate charge, input capacitance and resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected

Applications
• Switching applications

Description
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fastrecovery
diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6
combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent
improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors
available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and
ZVS phase-shift converters.




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A proposito di STMicroelectronics

STMicroelectronics è un produttore di elettronica e semiconduttori multinazionali con sede a Ginevra, in Svizzera.

La società offre una vasta gamma di prodotti tra cui microcontrollori, sensori, amplificatori di potenza e circuiti integrati per varie applicazioni nei mercati automobilistici, industriali e di consumo.

Fondata nel 1987, STMicroelectronics ha operazioni in oltre 100 paesi ed è una delle più grandi società di semiconduttori al mondo.

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