STH107N50FI Scheda tecnica(PDF) - STMicroelectronics

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STH107N50FI Scheda tecnica (PDF) - STMicroelectronics

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STH107N50FI Dettagli del prodotto

• HIGH INPUT IMPEDANCE
• LOW ON-VOLTAGE
• HIGH CURRENT CAPABILITY

APPLICATIONS:
• AUTOMOTIVE IGNITION
• DRIVERS FOR SOLENOIDS AND RELAYS

N-channel High Injection POWER MOS transis-
tors (IGBT) which features a high impedance in-
sulated gate input and a low on-resistance
characteristic of bipolar transistors. This low
resistance is achieved by conductivity modulation
of the drain. These devices are particularly suited
to automative ignition switching. They can also be
used as drivers for solenoids and relays.

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STMicroelectronics	STH10NA50	243Kb / 11P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR Nov-1996
Inchange Semiconductor ...	STH10NA50	316Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
STMicroelectronics	STH10NA50FI	243Kb / 11P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR Nov-1996

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A proposito di STMicroelectronics

STMicroelectronics è un produttore di elettronica e semiconduttori multinazionali con sede a Ginevra, in Svizzera.

La società offre una vasta gamma di prodotti tra cui microcontrollori, sensori, amplificatori di potenza e circuiti integrati per varie applicazioni nei mercati automobilistici, industriali e di consumo.

Fondata nel 1987, STMicroelectronics ha operazioni in oltre 100 paesi ed è una delle più grandi società di semiconduttori al mondo.

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