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2SK3572 Scheda tecnica (PDF) - Renesas Technology Corp
2SK3572 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
Il numero della parte 2SK3572
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Produttore elettronici  RENESAS [Renesas Technology Corp]
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Spiegazioni elettronici MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3572 Datasheet (PDF)

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2SK3572 Dettagli del prodotto

SWITCHING
N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION
The 2SK3572 is N-channel MOS FET device that features a
low on-state resistance and excellent switching characteristics,
designed for low voltage high current applications such as
DC/DC converter with synchronous rectifier.

FEATURES
• 4.5 V drive available
• Low on-state resistance
RDS(on)1 = 5.7 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)
• Low gate charge
QG = 32 nC TYP. (VDD = 16 V, VGS = 10 V, ID = 80 A)
• Built-in gate protection diode
• Surface mount device available




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A proposito di Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp è una società di semiconduttori giapponesi che fornisce una vasta gamma di microcontrollori, sistemi su chip e dispositivi analogici e di alimentazione per varie applicazioni nei mercati automobilistici, industriali e di consumo.
La società è stata formata nel 2010 attraverso la fusione di NEC Electronics Corporation e Renesas Technology Corporation.
Renesas è uno dei più grandi fornitori di microcontrollori al mondo ed è noto per la sua esperienza nello sviluppo di tecnologie avanzate in settori come l'Internet of Things (IoT), l'intelligenza artificiale (AI) e l'elettronica automobilistica.
La società ha operazioni in oltre 20 paesi e i suoi prodotti vengono utilizzati in una vasta gamma di applicazioni.

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