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SCTW35N65G2VAG Scheda tecnica (PDF) - STMicroelectronics
SCTW35N65G2VAG Datasheet PDF - STMicroelectronics
Il numero della parte SCTW35N65G2VAG
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Produttore elettronici  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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Spiegazioni elettronici Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package

SCTW35N65G2VAG Datasheet (PDF)

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SCTW35N65G2VAG Scheda tecnica (HTML) - STMicroelectronics


SCTW35N65G2VAG Dettagli del prodotto

Features
• AEC-Q101 qualified
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Low capacitance
Applications
• Switching mode power supply
• EV chargers
• DC-DC converters
Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s
advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device
features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching
performance. The variation of switching loss is almost independent of junction
temperature.




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A proposito di STMicroelectronics

STMicroelectronics è un produttore di elettronica e semiconduttori multinazionali con sede a Ginevra, in Svizzera.

La società offre una vasta gamma di prodotti tra cui microcontrollori, sensori, amplificatori di potenza e circuiti integrati per varie applicazioni nei mercati automobilistici, industriali e di consumo.

Fondata nel 1987, STMicroelectronics ha operazioni in oltre 100 paesi ed è una delle più grandi società di semiconduttori al mondo.

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