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NE650103M Scheda tecnica (PDF) - Renesas Technology Corp
NE650103M Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
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NE650103M Datasheet (PDF)

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NE650103M Dettagli del prodotto

10 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET

DESCRIPTION
The NE650103M is a 10 W GaAs MES FET designed for power transmitter applications for mobile communication
base station systems. It is capable of delivering 10 W of output power (CW) with high linear gain, high efficiency and
low distortion.
Reliability and performance uniformity are assured by our stringent quality and control procedures.
FEATURES
• High output power: PO (1 dB) = 40.0 dBm TYP.
• High linear gain: GL = 11.0 dB TYP.
• High power added efficiency: ηadd = 45% TYP. @ VDS = 10.0 V, IDset = 1.5 A (RF OFF), f = 2.3 GHz




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A proposito di Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp è una società di semiconduttori giapponesi che fornisce una vasta gamma di microcontrollori, sistemi su chip e dispositivi analogici e di alimentazione per varie applicazioni nei mercati automobilistici, industriali e di consumo.
La società è stata formata nel 2010 attraverso la fusione di NEC Electronics Corporation e Renesas Technology Corporation.
Renesas è uno dei più grandi fornitori di microcontrollori al mondo ed è noto per la sua esperienza nello sviluppo di tecnologie avanzate in settori come l'Internet of Things (IoT), l'intelligenza artificiale (AI) e l'elettronica automobilistica.
La società ha operazioni in oltre 20 paesi e i suoi prodotti vengono utilizzati in una vasta gamma di applicazioni.

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