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NE650R479A Scheda tecnica (PDF) - Renesas Technology Corp
NE650R479A Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
Il numero della parte NE650R479A
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Spiegazioni elettronici N-CHANNEL GaAs MES FET

NE650R479A Datasheet (PDF)

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NE650R479A Dettagli del prodotto

0.4 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET
DESCRIPTION
The NE650R479A is a 0.4 W GaAs MES FET designed for middle power transmitter applications for mobile
communication handset and base station systems. It is capable of delivering 0.4 watt of output power (CW) with high linear gain, high efficiency, excellent distortion and is suitable as a driver amplifier for our NE6500379A etc.
Reliability and performance uniformity are assured by NEC’s stringent quality and control procedures.

FEATURES
• High Output Power : PO (1 dB) = +26 dBm typ.
• High Linear Gain : 14 dB typ.
• High Power Added Efficiency: 45% typ. @VDS = 6 V, IDset = 100 mA, f = 1.9 GHz




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A proposito di Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp è una società di semiconduttori giapponesi che fornisce una vasta gamma di microcontrollori, sistemi su chip e dispositivi analogici e di alimentazione per varie applicazioni nei mercati automobilistici, industriali e di consumo.
La società è stata formata nel 2010 attraverso la fusione di NEC Electronics Corporation e Renesas Technology Corporation.
Renesas è uno dei più grandi fornitori di microcontrollori al mondo ed è noto per la sua esperienza nello sviluppo di tecnologie avanzate in settori come l'Internet of Things (IoT), l'intelligenza artificiale (AI) e l'elettronica automobilistica.
La società ha operazioni in oltre 20 paesi e i suoi prodotti vengono utilizzati in una vasta gamma di applicazioni.

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