NESG2107M33 Scheda tecnica(PDF)

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NESG2107M33 Scheda tecnica (PDF) - Renesas Technology Corp

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NESG2107M33 Dettagli del prodotto

NPN SILICON + SiGe RF TRANSISTOR (WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS)
IN A 6-PIN SUPER LEAD-LESS MINIMOLD (1007 PKG)

FEATURES
• 2 different built-in transistors (2SC5435, NESG2107M33)
Q1: High gain transistor
fT = 12.0 GHz TYP., S21e2 = 11 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz
Q2: Built-in low phase noise SiGe transistor suited for OSC applications
fT = 10.0 GHz TYP., S21e2 = 9.0 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz
• 6-pin super lead-less minimold package (1007 PKG)

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California Eastern Labs	NESG2107M33-A	302Kb / 4P	NECs NPN SILICON TRANSISTOR
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A proposito di Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp è una società di semiconduttori giapponesi che fornisce una vasta gamma di microcontrollori, sistemi su chip e dispositivi analogici e di alimentazione per varie applicazioni nei mercati automobilistici, industriali e di consumo.
La società è stata formata nel 2010 attraverso la fusione di NEC Electronics Corporation e Renesas Technology Corporation.
Renesas è uno dei più grandi fornitori di microcontrollori al mondo ed è noto per la sua esperienza nello sviluppo di tecnologie avanzate in settori come l'Internet of Things (IoT), l'intelligenza artificiale (AI) e l'elettronica automobilistica.
La società ha operazioni in oltre 20 paesi e i suoi prodotti vengono utilizzati in una vasta gamma di applicazioni.

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