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PBSS3540E Scheda tecnica (PDF) - NXP Semiconductors
PBSS3540E Datasheet PDF - NXP Semiconductors
Il numero della parte PBSS3540E
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Produttore elettronici  PHILIPS [NXP Semiconductors]
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Spiegazioni elettronici 40 V, 500 mA PNP low VCEsat (BISS) transistor

PBSS3540E Datasheet (PDF)

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PBSS3540E Dettagli del prodotto

General description
PNP low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor in a SOT416 (SC-75) SMD plastic package.

NPN complement: PBSS2540E.

Features
■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
■ High collector current capability: IC and ICM
■ High collector current gain (hFE) at high IC
■ High efficiency due to less heat generation
■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

Applications
■ DC-to-DC conversion
■ MOSFET gate driving
■ Motor control
■ Charging circuits
■ Low power switches (e.g. motors, fans)




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A proposito di NXP Semiconductors

NXP Semiconductors è un'azienda multinazionale quotata in borsa che progetta, sviluppa e produce una vasta gamma di semiconduttori e circuiti integrati per varie applicazioni, tra cui mercati automobilistici, industriali, di comunicazione e di consumo.
La società è stata fondata nel 2006 ed è con sede a Eindhoven, nei Paesi Bassi.
NXP offre un ampio portafoglio di prodotti, tra cui microcontroller, microprocessori, ICS di autenticazione sicuri, ICS di gestione dell'alimentazione, RF e componenti a microonde e soluzioni di sensori, tra gli altri.
I prodotti dell'azienda sono progettati per essere efficienti dal punto di vista energetico, sicuri e affidabili e sono utilizzati in una varietà di applicazioni, tra cui sistemi automobilistici, automazione e controllo industriali, case intelligenti ed edifici e dispositivi connessi.
NXP è dedicato all'innovazione e alla soddisfazione dei clienti e si impegna a fornire ai propri clienti le migliori soluzioni per semiconduttori per soddisfare le loro esigenze.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.




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