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IXGJ50N60C4D1 Scheda tecnica (PDF) - IXYS Corporation

IXGJ50N60C4D1 Datasheet PDF - IXYS Corporation
Il numero della parte IXGJ50N60C4D1
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Spiegazioni elettronici High-Gain IGBT w/ Diode

IXGJ50N60C4D1 Datasheet (PDF)

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IXGJ50N60C4D1 Scheda tecnica (HTML) - IXYS Corporation


IXGJ50N60C4D1 Dettagli del prodotto

Features
Optimized for Low Switching Losses
Silicon Chip on Direct-Copper Bond
(DCB) Substrate
Isolated Mounting Surface
2500V~ Electrical Isolation
Anti-Parallel Ultra Fast Diode
Square RBSOA

Applications
Power Inverters
UPS
Motor Drives
SMPS
PFC Circuits
Battery Chargers
Lamp Ballasts




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A proposito di IXYS Corporation


Ixys Corporation è una società tecnologica specializzata nella progettazione, produzione e vendita di semiconduttori di energia e circuiti integrati (ICS). La società è stata fondata nel 1983 ed è sede a Milpitas, in California. Ixys ha una presenza globale, con operazioni e clienti in oltre 60 paesi in tutto il mondo.

IXYS fornisce una vasta gamma di prodotti e soluzioni, tra cui MOSFET di potenza, transistor bipolari di potenza, tiristi, diodi e ICS per le applicazioni di gestione e controllo dell'alimentazione. I prodotti dell'azienda vengono utilizzati in una varietà di applicazioni, tra cui energia rinnovabile, industriale, automobilistico e elettronica di consumo.

Ixys è noto per la sua esperienza nella tecnologia dei semiconduttori di potenza e la sua capacità di fornire soluzioni ad alte prestazioni ed economiche ai propri clienti. La società è impegnata nell'innovazione, nella ricerca e nello sviluppo ed è attivamente coinvolta nello sviluppo di nuove tecnologie e soluzioni per il mercato dei semiconduttori di potenza. Ixys è un leader riconosciuto nel mercato dei semiconduttori di potenza e continua a fornire prodotti e servizi di alta qualità ai propri clienti.

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