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AM2729-110 Scheda tecnica (PDF) - STMicroelectronics
AM2729-110 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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AM2729-110 Dettagli del prodotto

DESCRIPTION
The AM2729-110 device is a high power silicon bipolar NPN transistor specifically designed for SBand radar pulsed output and driver applications.
This device is capable of operation over a wide range of pulse widths, duty cycles and temperatures and can withstand a 3:1 output VSWR. Low RF thermal resistance, refractory/gold metallization, and computerized automatic wire bonding techniques ensure high reliability and product consistency (including phase characteristics).
The AM2729-110 is supplied in the BIGPAC™ Hermetic Metal/Ceramic package with internal Input/Output matching circuitry, and is intended for military and other high reliability applications.

■ REFRACTORY/GOLD METALLIZATION
■ EMITTER SITE BALLASTED
■ 3:1 VSWR CAPABILITY
■ LOW THERMAL RESISTANCE
■ INPUT/OUTPUT MATCHING
■ OVERLAY GEOMETRY
■ METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE
■ POUT = 105 W MIN. WITH 6.5 dB GAIN




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A proposito di STMicroelectronics

STMicroelectronics è un produttore di elettronica e semiconduttori multinazionali con sede a Ginevra, in Svizzera.

La società offre una vasta gamma di prodotti tra cui microcontrollori, sensori, amplificatori di potenza e circuiti integrati per varie applicazioni nei mercati automobilistici, industriali e di consumo.

Fondata nel 1987, STMicroelectronics ha operazioni in oltre 100 paesi ed è una delle più grandi società di semiconduttori al mondo.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.




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