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AM80610-030 Scheda tecnica (PDF) - STMicroelectronics
AM80610-030 Datasheet PDF - STMicroelectronics
Il numero della parte AM80610-030
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AM80610-030 Datasheet (PDF)

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AM80610-030 Scheda tecnica (HTML) - STMicroelectronics


AM80610-030 Dettagli del prodotto

DESCRIPTION
The AM80610-030 is a high power, common base NPN silicon bipolar device optimized for CW operation in the 620 - 960 MHz frequency range.
AM80610-030 utilizes a rugged, overlay, emitter ballasted L-Band die geometry to achieve high gain and collector efficiency and is suitable for driver or output stage use in Class C power amplifiers. Typical applications include military communications, ECM, and test equipment.
The AM80610-030 is provided in the industry standard, metal/ceramic AMPAC hermetic package.

■ REFRACTORY/GOLD METALLIZATION
■ EMITTER SITE BALLASTED
■ INPUT/OUTPUT MATCHING
■ METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE
■ POUT = 30 W MIN. WITH 8.5 dB GAIN




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A proposito di STMicroelectronics

STMicroelectronics è un produttore di elettronica e semiconduttori multinazionali con sede a Ginevra, in Svizzera.

La società offre una vasta gamma di prodotti tra cui microcontrollori, sensori, amplificatori di potenza e circuiti integrati per varie applicazioni nei mercati automobilistici, industriali e di consumo.

Fondata nel 1987, STMicroelectronics ha operazioni in oltre 100 paesi ed è una delle più grandi società di semiconduttori al mondo.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.




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