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AM81719-040 Scheda tecnica (PDF) - STMicroelectronics
AM81719-040 Datasheet PDF - STMicroelectronics
Il numero della parte AM81719-040
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AM81719-040 Datasheet (PDF)

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AM81719-040 Scheda tecnica (HTML) - STMicroelectronics


AM81719-040 Dettagli del prodotto

DESCRIPTION
The AM81719-040 is a high power silicon NPN bipolar transistor designed for Class C, CW communications and telemetry applications in the 1.75 - 1.85 GHz frequency range.
An emitter-ballasted refractory-gold overlay die geometry with computerized automatic wire-bonding is employed to ensure long-term reliability and product consistency.

■ REFRACTORY/GOLD METALLIZATION
■ EMITTER SITE BALLASTED
■ INPUT/OUTPUT MATCHING
■ OVERLAY GEOMETRY
■ METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE
■ POUT = 40 W MIN. WITH 7 dB GAIN




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A proposito di STMicroelectronics

STMicroelectronics è un produttore di elettronica e semiconduttori multinazionali con sede a Ginevra, in Svizzera.

La società offre una vasta gamma di prodotti tra cui microcontrollori, sensori, amplificatori di potenza e circuiti integrati per varie applicazioni nei mercati automobilistici, industriali e di consumo.

Fondata nel 1987, STMicroelectronics ha operazioni in oltre 100 paesi ed è una delle più grandi società di semiconduttori al mondo.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.




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