IXTH102N15T Scheda tecnica(PDF) - IXYS Corporation

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IXYS Corporation	IXTH102N15T	239Kb / 7P	Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
Inchange Semiconductor ...	IXTH102N15T	383Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

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	IXFA102N15T	224Kb / 6P	Trench Gate Power MOSFET HiperFET
	IXFV110N25T	191Kb / 5P	Trench Gate Power HiperFET
List of Unclassifed Man...	IXTH96N25T	9Kb / 1P	2nd Generation Trench Gate Power MOSFETs
IXYS Corporation	IXTL2X220N075T	71Kb / 2P	TrenchMV Power MOSFETs Common-Gate Pair(Electrically Isolated Back Surface)
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	TSP01H18	2Mb / 6P	100V,180A N-Channel Shielded Gate Trench MOSFETs
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A proposito di IXYS Corporation

Ixys Corporation è una società tecnologica specializzata nella progettazione, produzione e vendita di semiconduttori di energia e circuiti integrati (ICS). La società è stata fondata nel 1983 ed è sede a Milpitas, in California. Ixys ha una presenza globale, con operazioni e clienti in oltre 60 paesi in tutto il mondo.

IXYS fornisce una vasta gamma di prodotti e soluzioni, tra cui MOSFET di potenza, transistor bipolari di potenza, tiristi, diodi e ICS per le applicazioni di gestione e controllo dell'alimentazione. I prodotti dell'azienda vengono utilizzati in una varietà di applicazioni, tra cui energia rinnovabile, industriale, automobilistico e elettronica di consumo.

Ixys è noto per la sua esperienza nella tecnologia dei semiconduttori di potenza e la sua capacità di fornire soluzioni ad alte prestazioni ed economiche ai propri clienti. La società è impegnata nell'innovazione, nella ricerca e nello sviluppo ed è attivamente coinvolta nello sviluppo di nuove tecnologie e soluzioni per il mercato dei semiconduttori di potenza. Ixys è un leader riconosciuto nel mercato dei semiconduttori di potenza e continua a fornire prodotti e servizi di alta qualità ai propri clienti.

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