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STB80NE06-10 Scheda tecnica (PDF) - STMicroelectronics
STB80NE06-10 Datasheet PDF - STMicroelectronics
Il numero della parte STB80NE06-10
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Spiegazioni elettronici N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET

STB80NE06-10 Datasheet (PDF)

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STB80NE06-10 Scheda tecnica (HTML) - STMicroelectronics


STB80NE06-10 Dettagli del prodotto

DESCRIPTION
This Power MOSFET is the latest development of SGS-THOMSON unique ”Single Feature Size™ ” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

■ TYPICAL RDS(on) = 0.0085 Ω
■ EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY
■ 100% AVALANCHE TESTED
■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION
■ FOR THROUGH-HOLE VERSION CONTACT SALES OFFICE

APPLICATIONS
■ SOLENOID AND RELAY DRIVERS
■ MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
■ DC-DC CONVERTERS
■ AUTOMOTIVE ENVIRONMENT




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A proposito di STMicroelectronics

STMicroelectronics è un produttore di elettronica e semiconduttori multinazionali con sede a Ginevra, in Svizzera.

La società offre una vasta gamma di prodotti tra cui microcontrollori, sensori, amplificatori di potenza e circuiti integrati per varie applicazioni nei mercati automobilistici, industriali e di consumo.

Fondata nel 1987, STMicroelectronics ha operazioni in oltre 100 paesi ed è una delle più grandi società di semiconduttori al mondo.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.




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