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MRF18030A Scheda tecnica (PDF) - Freescale Semiconductor, Inc
MRF18030A Datasheet PDF - Freescale Semiconductor, Inc
Il numero della parte MRF18030A
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Produttore elettronici  FREESCALE [Freescale Semiconductor, Inc]
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Spiegazioni elettronici RF Power Field Effect Transistors

MRF18030A Datasheet (PDF)

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MRF18030A Scheda tecnica (HTML) - Freescale Semiconductor, Inc


MRF18030A Dettagli del prodotto

RF Power Field Effect Transistors
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for GSM and EDGE base station applications with frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. Specified for GSM 1805-1880 MHz.

• Typical GSM Performance:
   Power Gain - 14 dB (Typ) @ 30 Watts
   Efficiency - 50% (Typ) @ 30 Watts
• Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 30 Watts CW Output Power

Features
• Internally Matched for Ease of Use
• High Gain, High Efficiency and High Linearity
• Integrated ESD Protection
• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness
• Low Gold Plating Thickness on Leads, 40μ″ Nominal.
• RoHS Compliant
• in Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 inch Reel.




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A proposito di Freescale Semiconductor, Inc

Freescale Semiconductor era una società di semiconduttori americani fondata nel 1948.
La società era un fornitore leader di microcontrollori, sensori e altri prodotti a semiconduttore per varie applicazioni nei mercati automobilistici, industriali e di consumo.
I prodotti Freescale erano noti per le loro alte prestazioni, basso consumo di energia e fattore di forma ridotta.
La società è stata acquisita da NXP Semiconductors nel 2015 e i suoi prodotti e tecnologie continuano a essere sviluppati e venduti con il marchio NXP.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.




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