30BQ015 Scheda tecnica(PDF) - Vishay Siliconix

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30BQ015 Scheda tecnica (PDF) - Vishay Siliconix

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30BQ015 Dettagli del prodotto

DESCRIPTION
The 30BQ015PbF surface mount Schottky rectifier has been designed for applications requiring low forward drop and very small foot prints on PC boards. The proprietary barrier technology allows for reliable operation up to 125 °C junction temperature. Typical applications are in disk drives, switching power supplies, converters, freewheeling diodes, battery charging, and reverse battery protection.

FEATURES
• 125 °C TJ operation (VR < 5 V)
• Optimized for OR-ing applications
• Ultra low forward voltage drop
• High frequency operation
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability
• High purity, high temperature epoxy encapsulation for enhanced mechanical strength and moisture resistance
• Lead (Pb)-free (“PbF” suffix)
• Designed and qualified for industrial level

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A proposito di Vishay Siliconix

Vishay Siliconix è una consociata di Vishay Intertechnology, un produttore globale di componenti elettronici passivi.
Vishay Siliconix è specializzata nella progettazione, produzione e commercializzazione di MOSFET di potenza, IGBT e altri semiconduttori di potenza.
La compagnia è stata fondata nel 1962 ed ha sede a Santa Clara, in California.
Vishay Siliconix offre soluzioni di alimentazione per una varietà di applicazioni, tra cui sistemi di energia rinnovabile, apparecchiature industriali, calcolo e telecomunicazioni e elettronica automobilistica.
I prodotti dell'azienda sono progettati per alta efficienza, bassa consumo di energia e elevata affidabilità e sono fabbricati in strutture all'avanguardia utilizzando processi di fabbricazione avanzati.
Con particolare attenzione all'innovazione e alla soddisfazione del cliente, Vishay Siliconix si impegna a fornire ai propri clienti le migliori soluzioni di gestione dell'alimentazione per soddisfare le loro esigenze.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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