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MBR1100TR Scheda tecnica (PDF) - Vishay Siliconix
MBR1100TR Datasheet PDF - Vishay Siliconix
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Produttore elettronici  VISHAY [Vishay Siliconix]
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Spiegazioni elettronici Schottky Rectifier, 1 A

MBR1100TR Datasheet (PDF)

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MBR1100TR Scheda tecnica (HTML) - Vishay Siliconix


MBR1100TR Dettagli del prodotto

DESCRIPTION

The MBR1100 axial leaded Schottky rectifier has been optimized for very low forward voltage drop, with moderate leakage. Typical applications are in switching power supplies, converters, freewheeling diodes, and reverse battery protection.



FEATURES

• Low profile, axial leaded outline

• Very low forward voltage drop

• High frequency operation

• High purity, high temperature epoxy encapsulation for enhanced mechanical strength and moisture resistance

• Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability

• Lead (Pb)-free plating

• Designed and qualified for industrial level




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A proposito di Vishay Siliconix

Vishay Siliconix è una consociata di Vishay Intertechnology, un produttore globale di componenti elettronici passivi.
Vishay Siliconix è specializzata nella progettazione, produzione e commercializzazione di MOSFET di potenza, IGBT e altri semiconduttori di potenza.
La compagnia è stata fondata nel 1962 ed ha sede a Santa Clara, in California.
Vishay Siliconix offre soluzioni di alimentazione per una varietà di applicazioni, tra cui sistemi di energia rinnovabile, apparecchiature industriali, calcolo e telecomunicazioni e elettronica automobilistica.
I prodotti dell'azienda sono progettati per alta efficienza, bassa consumo di energia e elevata affidabilità e sono fabbricati in strutture all'avanguardia utilizzando processi di fabbricazione avanzati.
Con particolare attenzione all'innovazione e alla soddisfazione del cliente, Vishay Siliconix si impegna a fornire ai propri clienti le migliori soluzioni di gestione dell'alimentazione per soddisfare le loro esigenze.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.




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