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SD703C25S30L Scheda tecnica (PDF) - Vishay Siliconix
SD703C25S30L Datasheet PDF - Vishay Siliconix
Il numero della parte SD703C25S30L
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Produttore elettronici  VISHAY [Vishay Siliconix]
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Spiegazioni elettronici Fast Recovery Diodes (Hockey PUK Version), 700/790 A

SD703C25S30L Datasheet (PDF)

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SD703C25S30L Scheda tecnica (HTML) - Vishay Siliconix


SD703C25S30L Dettagli del prodotto

FEATURES
• High power FAST recovery diode series
• 2.0 to 3.0 µs recovery time
• High voltage ratings up to 2500 V
• High current capability
• Optimized turn-on and turn-off characteristics
• Low forward recovery
• Fast and soft reverse recovery
• Press PUK encapsulation
• Case style conform to JEDEC DO-200AB (B-PUK)
• Maximum junction temperature 150 °C
• Lead (Pb)-free
• Designed and qualified for industrial level

TYPICAL APPLICATIONS
• Snubber diode for GTO
• High voltage freewheeling diode
• Fast recovery rectifier applications




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A proposito di Vishay Siliconix

Vishay Siliconix è una consociata di Vishay Intertechnology, un produttore globale di componenti elettronici passivi.
Vishay Siliconix è specializzata nella progettazione, produzione e commercializzazione di MOSFET di potenza, IGBT e altri semiconduttori di potenza.
La compagnia è stata fondata nel 1962 ed ha sede a Santa Clara, in California.
Vishay Siliconix offre soluzioni di alimentazione per una varietà di applicazioni, tra cui sistemi di energia rinnovabile, apparecchiature industriali, calcolo e telecomunicazioni e elettronica automobilistica.
I prodotti dell'azienda sono progettati per alta efficienza, bassa consumo di energia e elevata affidabilità e sono fabbricati in strutture all'avanguardia utilizzando processi di fabbricazione avanzati.
Con particolare attenzione all'innovazione e alla soddisfazione del cliente, Vishay Siliconix si impegna a fornire ai propri clienti le migliori soluzioni di gestione dell'alimentazione per soddisfare le loro esigenze.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.




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