TSTA7100 Scheda tecnica(PDF) - Vishay Siliconix

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TSTA7100 Scheda tecnica (PDF) - Vishay Siliconix

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GaAlAs IR Emitting Diode in Hermetically Sealed TO18 Case

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TSTA7100 Dettagli del prodotto

DESCRIPTION
TSTA7100 is an infrared, 875 nm emitting diode in GaAlAs technology in a hermetically sealed TO-18 package with lens.

FEATURES
• Package type: leaded
• Package form: TO-18
• Dimensions (in mm): ∅ 4.7
• Peak wavelength: λp = 875 nm
• High reliability
• High radiant power
• High radiant intensity
• Angle of half intensity: ϕ = ± 5°
• Low forward voltage
• Suitable for high pulse current operation
• Good spectral matching with Si photodetectors
• Lead (Pb)-free component in accordance with RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC

APPLICATIONS
• Radiation source near infrared range

Codice articolo simile - TSTA7100

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Vishay Siliconix	TSTA7100	150Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 875 nm, GaAlAs 04-Sep-08
	TSTA7100	143Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 875 nm, GaAlAs 04-Sep-08
	TSTA7100	143Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 875 nm, GaAlAs 04-Sep-08
	TSTA7100	150Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 875 nm, GaAlAs 04-Sep-08
	TSTA7100	143Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 875 nm, GaAlAs 04-Sep-08

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	TSTS730	81Kb / 5P	GaAs IR Emitting Diodes in Hermetically Sealed TO18 Case 20-May-99
	TSTS750	81Kb / 5P	GaAs IR Emitting Diodes in Hermetically Sealed TO18 Case 20-May-99
	T8514VB	92Kb / 4P	Specification of GaAlAs IR Emitting Diode Chip 29-Mar-10
	T8719VA	85Kb / 4P	Specification of GaAlAs IR Emitting Diode Chip 23-Mar-11
	T8914VA	100Kb / 4P	Specification of GaAlAs IR Emitting Diode Chip 29-Mar-10
	TB9414VA	84Kb / 4P	Specification of GaAlAs IR Emitting Diode Chip 28-Jul-14
	TB9414VA	85Kb / 4P	Specification of GaAlAs IR Emitting Diode Chip 28-Jul-14

A proposito di Vishay Siliconix

Vishay Siliconix è una consociata di Vishay Intertechnology, un produttore globale di componenti elettronici passivi.
Vishay Siliconix è specializzata nella progettazione, produzione e commercializzazione di MOSFET di potenza, IGBT e altri semiconduttori di potenza.
La compagnia è stata fondata nel 1962 ed ha sede a Santa Clara, in California.
Vishay Siliconix offre soluzioni di alimentazione per una varietà di applicazioni, tra cui sistemi di energia rinnovabile, apparecchiature industriali, calcolo e telecomunicazioni e elettronica automobilistica.
I prodotti dell'azienda sono progettati per alta efficienza, bassa consumo di energia e elevata affidabilità e sono fabbricati in strutture all'avanguardia utilizzando processi di fabbricazione avanzati.
Con particolare attenzione all'innovazione e alla soddisfazione del cliente, Vishay Siliconix si impegna a fornire ai propri clienti le migliori soluzioni di gestione dell'alimentazione per soddisfare le loro esigenze.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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