2SC5606 Scheda tecnica(PDF) - NEC

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2SC5606 Scheda tecnica (PDF) - NEC

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Produttore elettronici	NEC [NEC]

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Spiegazioni elettronici

NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE 쨌 HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD (19, 1608 PKG)

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Spiegazioni elettronici	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE 쨌 HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD (19, 1608 PKG)

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Codice articolo simile - 2SC5606

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
NEC	2SC5606	68Kb / 6P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE 쨌 HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD
Renesas Technology Corp	2SC5606	201Kb / 9P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE HIGH-GAIN AMPLIFICATION
California Eastern Labs	2SC5606	329Kb / 6P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE 쨌 HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD (19, 1608 PKG)
Renesas Technology Corp	2SC5606-A	201Kb / 9P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE HIGH-GAIN AMPLIFICATION
California Eastern Labs	2SC5606-A	329Kb / 6P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE 쨌 HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD (19, 1608 PKG)

Descrizione simile - 2SC5606

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
NEC	2SC5606	68Kb / 6P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE 쨌 HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD
	NESG2021M16	120Kb / 12P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)
	NESG2031M16	119Kb / 12P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)
	NESG4030M14	112Kb / 10P	NPN SiGe:C RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 4-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M14, 1208 PKG)
Renesas Technology Corp	2SC4226-T1-A	149Kb / 8P	NPN Silicon RF Transistor NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for High-Frequency Low-Noise Amplification 3-pin super Minimold
California Eastern Labs	NESG2021M16	861Kb / 11P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)
	NE66219	329Kb / 6P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE 쨌 HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD (19, 1608 PKG)
	NESG210719	1Mb / 9P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN Amplification 3-Pin Ultra Super Minimold (19, 1608 PKG)
Renesas Technology Corp	2SC4227	202Kb / 9P	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD
Renesas Technology Corp	2SC4228	202Kb / 9P	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN SUPER MINIMOLD

A proposito di NEC

NEC Corporation è una società di tecnologia informatica multinazionale giapponese ed elettronica. La compagnia è stata fondata nel 1899 ed ha sede a Tokyo, in Giappone. NEC fornisce una vasta gamma di prodotti e servizi tra cui tecnologia dell'informazione, telecomunicazioni ed elettronica. Il suo portafoglio include hardware, software e servizi per computer, soluzioni di rete, soluzioni di visualizzazione e server aziendali e soluzioni di archiviazione.

NEC è noto per la sua esperienza nel campo della tecnologia dell'informazione e la sua capacità di fornire prodotti e servizi innovativi e di alta qualità. La società ha operazioni e strutture in vari paesi in tutto il mondo e ha una forte presenza nella regione Asia-Pacifico. NEC lavora a stretto contatto con i propri clienti per fornire soluzioni personalizzate che soddisfino i loro requisiti e esigenze specifiche.

Oltre al suo core business, NEC è anche attivo nei settori della ricerca e dello sviluppo ed è coinvolto in vari progetti relativi a tecnologie avanzate come l'intelligenza artificiale, le reti 5G e l'Internet of Things (IoT). NEC è impegnato a fornire soluzioni sostenibili che supportano lo sviluppo della società e migliorano la qualità della vita per le persone di tutto il mondo.

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