NESG220033-A Scheda tecnica(PDF) - NEC

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NESG220033-A Scheda tecnica (PDF) - NEC

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Produttore elettronici	NEC [NEC]

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NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)

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Spiegazioni elettronici	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)

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NESG220033-A Dettagli del prodotto

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)

FEATURES
• The device is an ideal choice for low noise, low distortion amplification.
NF = 0.75 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 1 GHz
• PO (1 dB) = 21.5 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 40 mA, f = 1 GHz
• OIP3 = 35 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 40 mA, f = 1 GHz
• Maximum stable power gain: MSG =14.0 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 40 mA, f = 1 GHz
• SiGe HBT technology (UHS2) : fT = 12.5 GHz
• This product is improvement of ESD of NESG2xxx series.
• 3-pin minimold (33 PKG)

Codice articolo simile - NESG220033-A

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Renesas Technology Corp	NESG220033-T1B	224Kb / 10P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)

Descrizione simile - NESG220033-A

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
NEC	NESG210833	103Kb / 8P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG220034	97Kb / 9P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
	NESG240033	103Kb / 8P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG240034	91Kb / 9P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
Renesas Technology Corp	NESG210833	232Kb / 10P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG220033	224Kb / 10P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG220034	226Kb / 11P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
	NESG240033	232Kb / 10P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG240034	221Kb / 11P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
California Eastern Labs	NESG210719	1Mb / 9P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN Amplification 3-Pin Ultra Super Minimold (19, 1608 PKG)

A proposito di NEC

NEC Corporation è una società di tecnologia informatica multinazionale giapponese ed elettronica. La compagnia è stata fondata nel 1899 ed ha sede a Tokyo, in Giappone. NEC fornisce una vasta gamma di prodotti e servizi tra cui tecnologia dell'informazione, telecomunicazioni ed elettronica. Il suo portafoglio include hardware, software e servizi per computer, soluzioni di rete, soluzioni di visualizzazione e server aziendali e soluzioni di archiviazione.

NEC è noto per la sua esperienza nel campo della tecnologia dell'informazione e la sua capacità di fornire prodotti e servizi innovativi e di alta qualità. La società ha operazioni e strutture in vari paesi in tutto il mondo e ha una forte presenza nella regione Asia-Pacifico. NEC lavora a stretto contatto con i propri clienti per fornire soluzioni personalizzate che soddisfino i loro requisiti e esigenze specifiche.

Oltre al suo core business, NEC è anche attivo nei settori della ricerca e dello sviluppo ed è coinvolto in vari progetti relativi a tecnologie avanzate come l'intelligenza artificiale, le reti 5G e l'Internet of Things (IoT). NEC è impegnato a fornire soluzioni sostenibili che supportano lo sviluppo della società e migliorano la qualità della vita per le persone di tutto il mondo.

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