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IXGP30N60C3C1 Scheda tecnica (PDF) - IXYS Corporation

IXGP30N60C3C1 Datasheet PDF - IXYS Corporation
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Spiegazioni elettronici GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode

IXGP30N60C3C1 Datasheet (PDF)

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IXGP30N60C3C1 Scheda tecnica (HTML) - IXYS Corporation


IXGP30N60C3C1 Dettagli del prodotto

High Speed PT IGBTs for 40 - 100kHz Switching

Features
● Optimized for Low Switching Losses
● Square RBSOA
● Anti-Parallel Schottky Diode
● International Standard Packages

Advantages
● High Power Density
● Low Gate Drive Requirement

Applications
● High Frequency Power Inverters
● UPS
● Motor Drives
● SMPS
● PFC Circuits
● Battery Chargers
● Welding Machines
● Lamp Ballasts 




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A proposito di IXYS Corporation


Ixys Corporation è una società tecnologica specializzata nella progettazione, produzione e vendita di semiconduttori di energia e circuiti integrati (ICS). La società è stata fondata nel 1983 ed è sede a Milpitas, in California. Ixys ha una presenza globale, con operazioni e clienti in oltre 60 paesi in tutto il mondo.

IXYS fornisce una vasta gamma di prodotti e soluzioni, tra cui MOSFET di potenza, transistor bipolari di potenza, tiristi, diodi e ICS per le applicazioni di gestione e controllo dell'alimentazione. I prodotti dell'azienda vengono utilizzati in una varietà di applicazioni, tra cui energia rinnovabile, industriale, automobilistico e elettronica di consumo.

Ixys è noto per la sua esperienza nella tecnologia dei semiconduttori di potenza e la sua capacità di fornire soluzioni ad alte prestazioni ed economiche ai propri clienti. La società è impegnata nell'innovazione, nella ricerca e nello sviluppo ed è attivamente coinvolta nello sviluppo di nuove tecnologie e soluzioni per il mercato dei semiconduttori di potenza. Ixys è un leader riconosciuto nel mercato dei semiconduttori di potenza e continua a fornire prodotti e servizi di alta qualità ai propri clienti.

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