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IXGH20N120B Scheda tecnica (PDF) - IXYS Corporation

IXGH20N120B Datasheet PDF - IXYS Corporation
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IXGH20N120B Datasheet (PDF)

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IXGH20N120B Scheda tecnica (HTML) - IXYS Corporation


IXGH20N120B Dettagli del prodotto

VCES = 1200 V

IC25 = 40 A

VCE(sat) = 3.4 V

tfi(typ) = 160 ns



Features

• High Voltage IGBT for resonant power supplies

   - Induction heating

   - Rice cookers

• International standard packages

   JEDEC TO-268 surface and

   JEDEC TO-247 AD

• Low switching losses, low V(sat)

• MOS Gate turn-on

   - drive simplicity



Advantages

• High power density

• Suitable for surface mounting

• Easy to mount with 1 screw, (isolated mounting screw hole)



 




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A proposito di IXYS Corporation


Ixys Corporation è una società tecnologica specializzata nella progettazione, produzione e vendita di semiconduttori di energia e circuiti integrati (ICS). La società è stata fondata nel 1983 ed è sede a Milpitas, in California. Ixys ha una presenza globale, con operazioni e clienti in oltre 60 paesi in tutto il mondo.

IXYS fornisce una vasta gamma di prodotti e soluzioni, tra cui MOSFET di potenza, transistor bipolari di potenza, tiristi, diodi e ICS per le applicazioni di gestione e controllo dell'alimentazione. I prodotti dell'azienda vengono utilizzati in una varietà di applicazioni, tra cui energia rinnovabile, industriale, automobilistico e elettronica di consumo.

Ixys è noto per la sua esperienza nella tecnologia dei semiconduttori di potenza e la sua capacità di fornire soluzioni ad alte prestazioni ed economiche ai propri clienti. La società è impegnata nell'innovazione, nella ricerca e nello sviluppo ed è attivamente coinvolta nello sviluppo di nuove tecnologie e soluzioni per il mercato dei semiconduttori di potenza. Ixys è un leader riconosciuto nel mercato dei semiconduttori di potenza e continua a fornire prodotti e servizi di alta qualità ai propri clienti.

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