IXGH31N60D1 Scheda tecnica(PDF) - IXYS Corporation

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IXGH31N60D1 Scheda tecnica (PDF) - IXYS Corporation

IXGH31N60D1 Datasheet PDF - IXYS Corporation


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Ultra-Low V IGBT with Diode

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IXGH31N60D1 Dettagli del prodotto

Features
• IGBT and anti-parallel FRED in one package
• Low VCE(sat) - for minimum on-state conduction losses
• MOS Gate turn-on - drive simplicity
• Fast RecoveryEpitaxial Diode (FRED) - soft recovery with low IRM

Applications
• AC motor speed control
• DC servo and robot drives
• DC choppers Uninterruptible power supplies (UPS)
• Switch-mode and resonant-mode power supplies

Advantages
• Space savings (two devices in one package)
• Easy to mount with 1 screw (isolated mounting screw hole)
• Reduces assembly time and cost
• High power density

Codice articolo simile - IXGH31N60D1

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
IXYS Corporation	IXGH31N60	55Kb / 2P	Ultra-Low VCE(sat) IGBT
IXYS Corporation	IXGH31N60U1	46Kb / 2P	Ultra-Low VCE(sat) IGBT with Diode

Descrizione simile - IXGH31N60D1

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
IXYS Corporation	IXGH17N100U1	113Kb / 6P	Low VCE(sat) IGBT with Diode High speed IGBT with Diode
	IXGH15N120BD1	56Kb / 2P	Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode
	IXGH12N100	151Kb / 5P	Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode
	IXGH10N100U1	121Kb / 6P	Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode
	IXGH31N60U1	46Kb / 2P	Ultra-Low VCE(sat) IGBT with Diode
	IXGH38N60U1	46Kb / 2P	Ultra-Low VCE(sat) IGBT with Diode
	IXSH20N60U1	112Kb / 6P	Low VCE(sat) IGBT with Diode, High Speed IGBT with Diode
STMicroelectronics	STGW45HF60WDI	499Kb / 16P	45 A, 600 V ultra fast IGBT with low drop diode 21-Dec-2010
STMicroelectronics	STGW35HF60WDI	1Mb / 15P	35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode 25-Aug-2011
IXYS Corporation	IXSH16N60U1	40Kb / 2P	Low V CE(sat) IGBT with Diode

A proposito di IXYS Corporation

Ixys Corporation è una società tecnologica specializzata nella progettazione, produzione e vendita di semiconduttori di energia e circuiti integrati (ICS). La società è stata fondata nel 1983 ed è sede a Milpitas, in California. Ixys ha una presenza globale, con operazioni e clienti in oltre 60 paesi in tutto il mondo.

IXYS fornisce una vasta gamma di prodotti e soluzioni, tra cui MOSFET di potenza, transistor bipolari di potenza, tiristi, diodi e ICS per le applicazioni di gestione e controllo dell'alimentazione. I prodotti dell'azienda vengono utilizzati in una varietà di applicazioni, tra cui energia rinnovabile, industriale, automobilistico e elettronica di consumo.

Ixys è noto per la sua esperienza nella tecnologia dei semiconduttori di potenza e la sua capacità di fornire soluzioni ad alte prestazioni ed economiche ai propri clienti. La società è impegnata nell'innovazione, nella ricerca e nello sviluppo ed è attivamente coinvolta nello sviluppo di nuove tecnologie e soluzioni per il mercato dei semiconduttori di potenza. Ixys è un leader riconosciuto nel mercato dei semiconduttori di potenza e continua a fornire prodotti e servizi di alta qualità ai propri clienti.

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