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30TPS08 Scheda tecnica (PDF) - Vishay Siliconix
30TPS08 Datasheet PDF - Vishay Siliconix
Il numero della parte 30TPS08
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Produttore elettronici  VISHAY [Vishay Siliconix]
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Spiegazioni elettronici Phase Control SCR, 20 A

30TPS08 Datasheet (PDF)

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30TPS08 Scheda tecnica (HTML) - Vishay Siliconix


30TPS08 Dettagli del prodotto

DESCRIPTION/FEATURES
The 30TPS...PbF High Voltage Series of silicon controlled rectifiers are specifically designed for medium power switching and phase control applications. The glass passivation technology used has reliable operation up to 125 °C junction temperature.

Typical applications are in input rectification (soft start) and these products are designed to be used with Vishay HPP input diodes, switches and output rectifiers which are available in identical package outlines.

This product has been designed and qualified for industrial level and lead (Pb)-free (“PbF” suffix).




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A proposito di Vishay Siliconix

Vishay Siliconix è una consociata di Vishay Intertechnology, un produttore globale di componenti elettronici passivi.
Vishay Siliconix è specializzata nella progettazione, produzione e commercializzazione di MOSFET di potenza, IGBT e altri semiconduttori di potenza.
La compagnia è stata fondata nel 1962 ed ha sede a Santa Clara, in California.
Vishay Siliconix offre soluzioni di alimentazione per una varietà di applicazioni, tra cui sistemi di energia rinnovabile, apparecchiature industriali, calcolo e telecomunicazioni e elettronica automobilistica.
I prodotti dell'azienda sono progettati per alta efficienza, bassa consumo di energia e elevata affidabilità e sono fabbricati in strutture all'avanguardia utilizzando processi di fabbricazione avanzati.
Con particolare attenzione all'innovazione e alla soddisfazione del cliente, Vishay Siliconix si impegna a fornire ai propri clienti le migliori soluzioni di gestione dell'alimentazione per soddisfare le loro esigenze.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.




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