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SI4720CY Scheda tecnica (PDF) - Vishay Siliconix

SI4720CY Datasheet PDF - Vishay Siliconix
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SI4720CY Scheda tecnica (HTML) - Vishay Siliconix


SI4720CY Dettagli del prodotto

DESCRIPTION
The Si4720CY is two level-shifted P-Channel MOSFETs. Operating together, these MOSFETs can be used as a reverse blocking switch for battery disconnect applications. It is a solution for multiple battery technology designs or designs that require isolation from the power bus during charging.
The Si4720CY is available in a 16-pin SOIC package and is rated for the commercial temperature range of - 25 °C to 85 °C.

FEATURES
• Solution for Bi-Directional Blocking
• 6 V to 30 V Operation
• Ground Referenced Logic Level Inputs
• Integrated Low RDS(on) MOSFET
• Level-Shifted Gate Drive with Internal MOSFET
• Two Independent Inputs
• Ultra Low Power Consumption in Off State (Leakage Current Only)
• Logic Supply Voltage is Not Required




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A proposito di Vishay Siliconix


Vishay Siliconix è una consociata di Vishay Intertechnology, un produttore globale di componenti elettronici passivi.
Vishay Siliconix è specializzata nella progettazione, produzione e commercializzazione di MOSFET di potenza, IGBT e altri semiconduttori di potenza.
La compagnia è stata fondata nel 1962 ed ha sede a Santa Clara, in California.
Vishay Siliconix offre soluzioni di alimentazione per una varietà di applicazioni, tra cui sistemi di energia rinnovabile, apparecchiature industriali, calcolo e telecomunicazioni e elettronica automobilistica.
I prodotti dell'azienda sono progettati per alta efficienza, bassa consumo di energia e elevata affidabilità e sono fabbricati in strutture all'avanguardia utilizzando processi di fabbricazione avanzati.
Con particolare attenzione all'innovazione e alla soddisfazione del cliente, Vishay Siliconix si impegna a fornire ai propri clienti le migliori soluzioni di gestione dell'alimentazione per soddisfare le loro esigenze.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.




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