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NX6308GH Scheda tecnica (PDF) - Renesas Technology Corp
NX6308GH Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
Il numero della parte NX6308GH
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Produttore elettronici  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Homepage  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
Spiegazioni elettronici 1 310 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 1.25 Gb/s FTTH PON APPLICATION

NX6308GH Datasheet (PDF)

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Spiegazioni elettronici 1 310 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 1.25 Gb/s FTTH PON APPLICATION

NX6308GH Scheda tecnica (HTML) - Renesas Technology Corp


NX6308GH Dettagli del prodotto

DESCRIPTION
The NX6308GH is a 1 310 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) laser diode with InGaAs monitor PIN-PD. 

FEATURES
• Optical output power Po = 10.0 mW
• Low threshold current lth = 10 mA
• Differential efficiency ηd = 0.4 W/A
• Wide operating temperature range TC = −40 to +85°C
• InGaAs monitor PIN-PD
• CAN package φ 5.6 mm
• Focal point 7.5 mm

APPLICATION
• 1.25 Gb/s FTTH PON (Fiber To The Home Passive Optical Network)




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A proposito di Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp è una società di semiconduttori giapponesi che fornisce una vasta gamma di microcontrollori, sistemi su chip e dispositivi analogici e di alimentazione per varie applicazioni nei mercati automobilistici, industriali e di consumo.
La società è stata formata nel 2010 attraverso la fusione di NEC Electronics Corporation e Renesas Technology Corporation.
Renesas è uno dei più grandi fornitori di microcontrollori al mondo ed è noto per la sua esperienza nello sviluppo di tecnologie avanzate in settori come l'Internet of Things (IoT), l'intelligenza artificiale (AI) e l'elettronica automobilistica.
La società ha operazioni in oltre 20 paesi e i suoi prodotti vengono utilizzati in una vasta gamma di applicazioni.

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