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NX8350TS Scheda tecnica (PDF) - Renesas Technology Corp
NX8350TS Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
Il numero della parte NX8350TS
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Produttore elettronici  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Homepage  http://www.renesas.com
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Spiegazioni elettronici LASER DIODE 1 271 to 1 331 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 40 G BASE-LR4 APPLICATION

NX8350TS Datasheet (PDF)

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NX8350TS Dettagli del prodotto

DESCRIPTION
The NX8350TS is a 1 271 to 1 331 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) laser diode TOSAs (transmitter optical subassembly) with InGaAs monitor PIN-PD in an LC receptacle type package designed for CFP transceiver.

FEATURES
• Internal optical isolator
• Peak emission wavelength 1 271/1 291/1 311/1 331 nm
• Optical output power Pf = 2 dBm
• Low threshold current Ith = 8 mA TYP. @ TC = 25°C
• Wide operating temperature range TC = −5 to +85°C
• InGaAs monitor PIN-PD
• IEEE802.3ba compliant

APPLICATIONS
• 40 G BASE-LR4




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A proposito di Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp è una società di semiconduttori giapponesi che fornisce una vasta gamma di microcontrollori, sistemi su chip e dispositivi analogici e di alimentazione per varie applicazioni nei mercati automobilistici, industriali e di consumo.
La società è stata formata nel 2010 attraverso la fusione di NEC Electronics Corporation e Renesas Technology Corporation.
Renesas è uno dei più grandi fornitori di microcontrollori al mondo ed è noto per la sua esperienza nello sviluppo di tecnologie avanzate in settori come l'Internet of Things (IoT), l'intelligenza artificiale (AI) e l'elettronica automobilistica.
La società ha operazioni in oltre 20 paesi e i suoi prodotti vengono utilizzati in una vasta gamma di applicazioni.

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