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2SC3357-T1 Scheda tecnica (PDF) - Renesas Technology Corp
2SC3357-T1 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
Il numero della parte 2SC3357-T1
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Produttore elettronici  RENESAS [Renesas Technology Corp]
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Spiegazioni elettronici NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD

2SC3357-T1 Datasheet (PDF)

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2SC3357-T1 Scheda tecnica (HTML) - Renesas Technology Corp


2SC3357-T1 Dettagli del prodotto

FEATURES
• Low noise and high gain
    NF = 1.1 dB TYP., Ga = 7.5 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz
    NF = 1.8 dB TYP., Ga = 9.0 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 40 mA, f = 1 GHz
• High power gain : MAG = 10 dB TYP. @ IC = 40 mA, f = 1 GHz
• Large Ptot : Ptot = 1.2 W (Mounted on 16 cm2 × 0.7 mm (t) ceramic substrate)
• Small package : 3-pin power minimold package




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A proposito di Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp è una società di semiconduttori giapponesi che fornisce una vasta gamma di microcontrollori, sistemi su chip e dispositivi analogici e di alimentazione per varie applicazioni nei mercati automobilistici, industriali e di consumo.
La società è stata formata nel 2010 attraverso la fusione di NEC Electronics Corporation e Renesas Technology Corporation.
Renesas è uno dei più grandi fornitori di microcontrollori al mondo ed è noto per la sua esperienza nello sviluppo di tecnologie avanzate in settori come l'Internet of Things (IoT), l'intelligenza artificiale (AI) e l'elettronica automobilistica.
La società ha operazioni in oltre 20 paesi e i suoi prodotti vengono utilizzati in una vasta gamma di applicazioni.

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