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PBSS4350SS.115 Scheda tecnica (PDF) - NXP Semiconductors

PBSS4350SS.115 Datasheet PDF - NXP Semiconductors
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Spiegazioni elettronici NPN/NPN double low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

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PBSS4350SS.115 Scheda tecnica (HTML) - NXP Semiconductors


PBSS4350SS.115 Dettagli del prodotto

General description
PNP/PNP double low VCEsatBreakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

Features
■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
■ High collector current capability IC and ICM
■ High collector current gain (hFE) at high IC
■ High efficiency due to less heat generation
■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

 Applications
■ Dual low power switches (e.g. motors, fans)
■ Automotive




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A proposito di NXP Semiconductors


NXP Semiconductors è un'azienda multinazionale quotata in borsa che progetta, sviluppa e produce una vasta gamma di semiconduttori e circuiti integrati per varie applicazioni, tra cui mercati automobilistici, industriali, di comunicazione e di consumo.

La società è stata fondata nel 2006 ed è con sede a Eindhoven, nei Paesi Bassi.

NXP offre un ampio portafoglio di prodotti, tra cui microcontroller, microprocessori, ICS di autenticazione sicuri, ICS di gestione dell'alimentazione, RF e componenti a microonde e soluzioni di sensori, tra gli altri.

I prodotti dell'azienda sono progettati per essere efficienti dal punto di vista energetico, sicuri e affidabili e sono utilizzati in una varietà di applicazioni, tra cui sistemi automobilistici, automazione e controllo industriali, case intelligenti ed edifici e dispositivi connessi.

NXP è dedicato all'innovazione e alla soddisfazione dei clienti e si impegna a fornire ai propri clienti le migliori soluzioni per semiconduttori per soddisfare le loro esigenze.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.




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