FQB19N20 Scheda tecnica(PDF)

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FQB19N20 Scheda tecnica (PDF) - Fairchild Semiconductor

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FQB19N20 Dettagli del prodotto

Description
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

Features
• 19.4 A, 200 V, RDS(on) = 150 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 9.7 A
• Low Gate Charge (Typ. 31 nC)
• Low Crss (Typ. 30 pF)
• 100% Avalanche Tested
• RoHS Compliant

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A proposito di Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor era una società di semiconduttori pionieristici che fu fondata alla fine degli anni '50.
La società era nota per la sua innovazione nello sviluppo del primo transistor commerciale e per i suoi contributi al progresso della tecnologia del circuito integrato.
Fairchild è diventato un fornitore leader di semiconduttori di potenza, circuiti integrati analogici e di segnale misto e altri prodotti a semiconduttore.
La società è stata acquisita da Semiconductor nel 2016 e i suoi prodotti e tecnologie continuano a essere sviluppati e venduti con il marchio su semiconduttore.

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