RJQ6003DPM Scheda tecnica(PDF)

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RJQ6003DPM Scheda tecnica (PDF) - Renesas Technology Corp

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RJQ6003DPM Dettagli del prodotto

Features
• Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat) = 1.37 V typ. (IC = 40 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
• Built in fast recovery diode in one package
• Trench gate and thin wafer technology
• High speed switching
tr = 85 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω, Ta = 25°C, inductive load)

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Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Renesas Technology Corp	RJQ6003DPM	110Kb / 9P	600V - 20A - IGBT and Diode High Speed Power Switching

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A proposito di Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp è una società di semiconduttori giapponesi che fornisce una vasta gamma di microcontrollori, sistemi su chip e dispositivi analogici e di alimentazione per varie applicazioni nei mercati automobilistici, industriali e di consumo.
La società è stata formata nel 2010 attraverso la fusione di NEC Electronics Corporation e Renesas Technology Corporation.
Renesas è uno dei più grandi fornitori di microcontrollori al mondo ed è noto per la sua esperienza nello sviluppo di tecnologie avanzate in settori come l'Internet of Things (IoT), l'intelligenza artificiale (AI) e l'elettronica automobilistica.
La società ha operazioni in oltre 20 paesi e i suoi prodotti vengono utilizzati in una vasta gamma di applicazioni.

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