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PBSS5130PAP Scheda tecnica (PDF) - NXP Semiconductors

PBSS5130PAP Datasheet PDF - NXP Semiconductors
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PBSS5130PAP Scheda tecnica (HTML) - NXP Semiconductors


PBSS5130PAP Dettagli del prodotto

General description
PNP/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN/PNP complement: PBSS4130PANP. NPN/NPN complement: PBSS4130PAN.

Features and benefits
• Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain hFE at high IC
• Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements
• High energy efficiency due to less heat generation
• AEC-Q101 qualified

Applications
• Load switch
• Battery-driven devices
• Power management
• Charging circuits
• Power switches (e.g. motors, fans)




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A proposito di NXP Semiconductors


NXP Semiconductors è un'azienda multinazionale quotata in borsa che progetta, sviluppa e produce una vasta gamma di semiconduttori e circuiti integrati per varie applicazioni, tra cui mercati automobilistici, industriali, di comunicazione e di consumo.

La società è stata fondata nel 2006 ed è con sede a Eindhoven, nei Paesi Bassi.

NXP offre un ampio portafoglio di prodotti, tra cui microcontroller, microprocessori, ICS di autenticazione sicuri, ICS di gestione dell'alimentazione, RF e componenti a microonde e soluzioni di sensori, tra gli altri.

I prodotti dell'azienda sono progettati per essere efficienti dal punto di vista energetico, sicuri e affidabili e sono utilizzati in una varietà di applicazioni, tra cui sistemi automobilistici, automazione e controllo industriali, case intelligenti ed edifici e dispositivi connessi.

NXP è dedicato all'innovazione e alla soddisfazione dei clienti e si impegna a fornire ai propri clienti le migliori soluzioni per semiconduttori per soddisfare le loro esigenze.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.




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