NE3521M04 Scheda tecnica(PDF) - Renesas Technology Corp

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Codice articolo simile - NE3521M04

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
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Renesas Technology Corp	NE3521M04-T2	414Kb / 10P	N-Channel GaAs HJ-FET, K Band Low Noise and High-Gain
California Eastern Labs	NE3521M04-T2-A	653Kb / 9P	N-Channel GaAs HJ-FET, K Band Low Noise and High-Gain
California Eastern Labs	NE3521M04-T2B	653Kb / 9P	N-Channel GaAs HJ-FET, K Band Low Noise and High-Gain

Descrizione simile - NE3521M04

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	NE3516S02	333Kb / 9P	N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain
Renesas Technology Corp	NE3521M04	414Kb / 10P	N-Channel GaAs HJ-FET, K Band Low Noise and High-Gain
	NE3517S03	208Kb / 11P	K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs HJ-FET
	NE3520S03	227Kb / 10P	N-Channel GaAs HJ-FET, K Band Low Noise and High-Gain

A proposito di Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp è una società di semiconduttori giapponesi che fornisce una vasta gamma di microcontrollori, sistemi su chip e dispositivi analogici e di alimentazione per varie applicazioni nei mercati automobilistici, industriali e di consumo.
La società è stata formata nel 2010 attraverso la fusione di NEC Electronics Corporation e Renesas Technology Corporation.
Renesas è uno dei più grandi fornitori di microcontrollori al mondo ed è noto per la sua esperienza nello sviluppo di tecnologie avanzate in settori come l'Internet of Things (IoT), l'intelligenza artificiale (AI) e l'elettronica automobilistica.
La società ha operazioni in oltre 20 paesi e i suoi prodotti vengono utilizzati in una vasta gamma di applicazioni.

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