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NESG210719-T1 Scheda tecnica (PDF) - Renesas Technology Corp
NESG210719-T1 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
Il numero della parte NESG210719-T1
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Produttore elettronici  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Homepage  http://www.renesas.com
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Spiegazioni elettronici NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

NESG210719-T1 Datasheet (PDF)

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Spiegazioni elettronici NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

NESG210719-T1 Scheda tecnica (HTML) - Renesas Technology Corp


NESG210719-T1 Dettagli del prodotto

FEATURES
• The NESG210719 is an ideal choice for OSC, low noise, high-gain amplification
• High breakdown voltage technology for SiGe Tr.
• 3-pin ultra super minimold (19, 1608 PKG)




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May 2003
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A proposito di Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp è una società di semiconduttori giapponesi che fornisce una vasta gamma di microcontrollori, sistemi su chip e dispositivi analogici e di alimentazione per varie applicazioni nei mercati automobilistici, industriali e di consumo.
La società è stata formata nel 2010 attraverso la fusione di NEC Electronics Corporation e Renesas Technology Corporation.
Renesas è uno dei più grandi fornitori di microcontrollori al mondo ed è noto per la sua esperienza nello sviluppo di tecnologie avanzate in settori come l'Internet of Things (IoT), l'intelligenza artificiale (AI) e l'elettronica automobilistica.
La società ha operazioni in oltre 20 paesi e i suoi prodotti vengono utilizzati in una vasta gamma di applicazioni.

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