MTD1N50E Scheda tecnica(PDF) - Motorola, Inc

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MTD1N50E Scheda tecnica (PDF) - Motorola, Inc

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TMOS POWER FET 1.0 AMPERE 500 VOLTS RDS(on) = 5.0 OHM

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MTD1N50E Dettagli del prodotto

This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage–blocking capability without degrading performance over time. In addition this advanced TMOS E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast recovery time. Designed for high voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.

• Robust High Voltage Termination
• Avalanche Energy Specified
• Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode
• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
• Surface Mount Package Available in 16 mm, 13–inch/2500 Unit Tape & Reel, Add –T4 Suffix to Part Number

Codice articolo simile - MTD1N50E

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
ON Semiconductor	MTD1N50E	136Kb / 12P	N?묬hannel Power MOSFET August, 2004 ??Rev. XXX
VBsemi Electronics Co.,...	MTD1N50E	1Mb / 9P	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET
Inchange Semiconductor ...	MTD1N50E	345Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
ON Semiconductor	MTD1N50E1	136Kb / 12P	N?묬hannel Power MOSFET August, 2004 ??Rev. XXX
ON Semiconductor	MTD1N50ET4	136Kb / 12P	N?묬hannel Power MOSFET August, 2004 ??Rev. XXX

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Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
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	MTD5N25E	252Kb / 10P	TMOS POWER FET 5.0 AMPERES 250 VOLTS RDS(on) = 1.0 OHM
	MTD5P06E	208Kb / 10P	TMOS POWER FET 5.0 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.55 OHM
	MTP1N100E	203Kb / 8P	TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 9.0 OHM
	MTP1N50E	159Kb / 8P	TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 5.0 OHM
	MTP1N60E	232Kb / 8P	TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 8.0 OHM
	MTP3N120E	252Kb / 8P	TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 1200 VOLTS RDS(on) = 5.0 OHM
	MTP5N40E	258Kb / 8P	TMOS POWER FET 5.0 AMPERES 400 VOLTS RDS(on) = 1.0 OHM
	MTW7N80E	220Kb / 8P	TMOS POWER FET 7.0 AMPERES 800 VOLTS RDS(on) = 1.0 OHM

A proposito di Motorola, Inc

Motorola, Inc. era una società di telecomunicazioni multinazionali americana fondata nel 1928. Era con sede a Schaumburg, nell'Illinois, ed era uno dei maggiori fornitori di telefoni cellulari, attrezzature di telecomunicazione e semiconduttori. Nel corso della sua storia, Motorola era nota per la sua innovazione nel campo delle telecomunicazioni, incluso lo sviluppo del primo telefono cellulare disponibile in commercio al mondo, il Dynatac, e il primo atrocchette al mondo, il Pageboy.

Nel 2011, Motorola si è divisa in due società separate: Motorola Mobility e Motorola Solutions. Motorola Mobility è stata successivamente acquisita da Google nel 2012 ed è ora una consociata di Lenovo. Motorola Solutions si concentra su soluzioni di comunicazione pubblica e commerciale e industriale. La società fornisce una vasta gamma di prodotti tra cui radio a due vie, dispositivi di mobile computing e apparecchiature di infrastruttura di rete.

Motorola è stata una delle pioniere del settore dei telefoni cellulari e ha una ricca storia di innovazione e progressi tecnologici. L'eredità dell'azienda continua attraverso le sue filiali e le sue tecnologie e prodotti continuano ad essere utilizzati in tutto il mondo.

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