IXKC25N80C Scheda tecnica(PDF) - IXYS Corporation

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IXKC25N80C Scheda tecnica (PDF) - IXYS Corporation

IXKC25N80C Datasheet PDF - IXYS Corporation


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N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Electrically Isolated Back Surface

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IXKC25N80C Dettagli del prodotto

N-Channel Enhancement Mode
Low RDSon, high VDSS MOSFET
Electrically Isolated Back Surface

Features
• Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate
   - high power dissipation
   - isolated mounting surface
   - 2500 V electrical isolation
• 3rd generation CoolMOS™ 1) power MOSFET
   - high blocking capability
   - lowest resistance
   - avalanche rated for unclamped inductive switching (UIS)
• Low thermal resistance due to reduced chip thickness
• Low drain to tab capacitance (<30 pF)

Applications
• Switched mode power supplies (SMPS)
• Uninterruptible power supplies (UPS)
• Power factor correction (PFC)
• Welding
• Inductive heating

Advantages
• Easy assembly: no screws or isolation foils required
• Space savings
• High power density

Codice articolo simile - IXKC25N80C

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
IXYS Corporation	IXKC20N60C	520Kb / 2P	CoolMOS Power MOSFET in ISOPLUS220 Package
Inchange Semiconductor ...	IXKC20N60C	305Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
IXYS Corporation	IXKC23N60C5	290Kb / 4P	CoolMOS Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IXKC23N60C5	306Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

Descrizione simile - IXKC25N80C

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
IXYS Corporation	IXFR38N80Q2	568Kb / 5P	Electrically Isolated Back Surface
	IXKH30N60C5	112Kb / 4P	CoolMOS Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Low Rdson, High Vdss MOSFET
	IXKH35N60C5	114Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, High VDSS MOSFET Ultra low gate charge
	IXUC100N055	575Kb / 2P	Electrically Isolated Back Surface
	IXKC15N60C5	119Kb / 4P	Electrically isolated back surface Electrically isolated back surface
	IXGC16N60B2	92Kb / 2P	Electrically Isolated Back Surface
	DSS20-01AC	121Kb / 4P	Electrically Isolated Back Surface
	DSEE8-06CC	65Kb / 2P	Electrically Isolated Back Surface
	IXKC19N60C5	120Kb / 4P	Electrically isolated back surface 2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Ultra low gate charge
	IXKR47N60C5	137Kb / 4P	Electrically isolated back surface 2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Ultra low gate charge

A proposito di IXYS Corporation

Ixys Corporation è una società tecnologica specializzata nella progettazione, produzione e vendita di semiconduttori di energia e circuiti integrati (ICS). La società è stata fondata nel 1983 ed è sede a Milpitas, in California. Ixys ha una presenza globale, con operazioni e clienti in oltre 60 paesi in tutto il mondo.

IXYS fornisce una vasta gamma di prodotti e soluzioni, tra cui MOSFET di potenza, transistor bipolari di potenza, tiristi, diodi e ICS per le applicazioni di gestione e controllo dell'alimentazione. I prodotti dell'azienda vengono utilizzati in una varietà di applicazioni, tra cui energia rinnovabile, industriale, automobilistico e elettronica di consumo.

Ixys è noto per la sua esperienza nella tecnologia dei semiconduttori di potenza e la sua capacità di fornire soluzioni ad alte prestazioni ed economiche ai propri clienti. La società è impegnata nell'innovazione, nella ricerca e nello sviluppo ed è attivamente coinvolta nello sviluppo di nuove tecnologie e soluzioni per il mercato dei semiconduttori di potenza. Ixys è un leader riconosciuto nel mercato dei semiconduttori di potenza e continua a fornire prodotti e servizi di alta qualità ai propri clienti.

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