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GP1200ESM33 Scheda tecnica (PDF) - Dynex Semiconductor
GP1200ESM33 Datasheet PDF - Dynex Semiconductor
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GP1200ESM33 Datasheet (PDF)

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GP1200ESM33 Scheda tecnica (HTML) - Dynex Semiconductor


GP1200ESM33 Dettagli del prodotto

The Powerline range of high power modules includes dual and single switch configurations covering voltages from 1200V to 3300V and currents up to 4800A.
The GP1200ESM33 is a single switch 3300V, n channel enhancement mode, insulated gate bipolar transistor (IGBT) module. The IGBT has a wide reverse bias safe operating area (RBSOA) ensuring reliability in demanding applications. This device is optimised for traction drives and other applications requiring high thermal cycling capability or very high reliability.

FEATURES
■ High Thermal Cycling Capability
■ Non Punch Through Silicon
■ Isolated MMC Base with AlN Substrates

APPLICATIONS
■ High Reliability Inverters
■ Motor Controllers
■ Traction Drives
■ Resonant Converters




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A proposito di Dynex Semiconductor

Dynex Semiconductor era una società britannica specializzata nella progettazione e nella produzione di semiconduttori ad alta potenza.
La compagnia è stata fondata nel 1967 e ha sede a Lincoln, in Inghilterra.
Dynex era noto per la sua esperienza nella tecnologia dei semiconduttori ad alta potenza e la sua capacità di fornire dispositivi di alimentazione progettati su misura per varie applicazioni come la conversione di potenza, il controllo motorio e i sistemi di energia rinnovabile.
Nel 2015, Dynex è stato acquisito da Infineon Technologies, un fornitore leader di sistemi di potenza e sensori.
Il marchio Dynex non è più in uso, ma la sua tecnologia e i suoi prodotti continuano a far parte del portafoglio di Infineon.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.




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